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Prix SAMSUNG SSD 750 120 GB EVO Interne Solid State Disque Dur Drive SATAIII SATA 3 2.5 Pouce 7mm pour Ordinateur Portable De Bureau PC

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750EVO DÉTAILS

Cahier Des Charges spécial

AES, 256 chiffrement complet (FDE)
TCG/Opale V2.0, crypté lecteurs (IEEE1667)

spécifications

capacité: 120G/250G (Réelle capacité utile peut être moins, en raison de mise en forme, partitionnement, système d'exploitation, applications ou autrement)
Interface: 2.5 & acirc; & Acirc; € & Acirc; ™ SATA3 6 Gb/s (compatible avec SATA2, SATA1)
taille (Lxhxp): 100×69.85×6.8mm
Wight: environ 45g
contrôleur: Samsung 3 nucléaire MGX contrôleur
NAND: Samsung NAND
antichoc: Pas de course: 1500g, 0.5 millisecondes, 3 axe
choc: Pas de course: 20 ~ 2000 HZ, 20g
DRAM cache: 256 MB DDR3 (120G), 256 MB DDR3 (250G)

soutien
GARNITURE (support du système d'exploitation), la collecte des ordures, S.M.A.R.T

Performances Vitesse(différents test logiciels obtiendrez différents vitesse, vitesse sera affectée par plusieurs facteurs, nos données seulement comme référence)

Écriture séquentielle Vitesse: jusqu'à 540 MB/s;Écriture séquentielle Vitesse: jusqu'à 520 MB/s
4KB (QD32) lire: jusqu'à 94000 iops;4KB QD32 écrire: jusqu'à 88000 iops
4KB (QD1) lire: jusqu'à 10000 iops;4KB (QD1) écrire: jusqu'à 35000 iops

Lecture séquentielle Vitesse: jusqu'à 540 MB/s;Écriture séquentielle Vitesse: jusqu'à 480 MB/s
4KB (QD32) lire: jusqu'à 97000 iops;4KB QD32 écrire: jusqu'à 88000 iops
4KB (QD1) lire: jusqu'à 10000 iops;4KB (QD1) écrire: jusqu'à 35000iop

Lecture séquentielle Vitesse: jusqu'à 540 MB/s;Écriture séquentielle Vitesse: jusqu'à 520 MB/s4KB (QD32) lire: jusqu'à 94000 iops;4KB QD32 écrire: jusqu'à 88000 iops4KB (QD1) lire: jusqu'à 10000 iops;4KB (QD1) écrire: jusqu'à 35000 iops

environnement

fiabilité: MTBF: 1,500,000
température de fonctionnement: opérations: 0degree-75degree non-fonctionnement:-40degree-85degree
garantie

3 ans de garantie limitée